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BZT52C12W

制造商: YAGEO
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5.42% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5.42% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12-G3-08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12SRRG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C12SR9G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52C12-GRHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12KRKG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SOD-523F

BZT52C12-G3-18

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52C12GW

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 350 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52-C12_R1_00001

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52-C12S-AU_R1_000A1

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323