BZT52C12SL-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZT52C12
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
BZT52C12S
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F
BZT52C12-AQ
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 35 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
BZT52C12-G
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C12L3P-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 100 mW ±5.42% 表面贴装型 2-DFN1006
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5.42%
功率 - 最大值: 100 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0402（1006 公制）
供应商器件封装: 2-DFN1006
BZT52C12K
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-523F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: SOD-523F
BZT52C12L3PHE3-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 150 mW ±5.42% 表面贴装型 DFN1006-2L
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5.42%
功率 - 最大值: 150 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0402（1006 公制）
供应商器件封装: DFN1006-2L
BZT52C12-HF
制造商: COMCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C12-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123