BZT52C12S-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZT52C12-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C12-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
ABZT52C12-HF
制造商: COMCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5.42% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5.42%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C12
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C3V3_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-GRHG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3RHG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4.5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
BZT52C3V3SR9G
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 4.5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F