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IPD80R4K5P7ATMA1

制造商: INFINEON TECHNOLOGIES
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装型 N 通道 800 V 1.5A（Tc） 13W（Tc） PG-TO252-3

FET 类型: N 通道技术: MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）: 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 옴 @ 400mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 80 pF @ 500 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 13W（Tc）工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: PG-TO252-3 封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

HT8KE5HTB1

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: MOSFET - 阵列 100V 2.5A（Ta），6.5A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc）表面贴装型 8-HSOP

技术: MOSFET（金属氧化物）配置: 2 N-通道（双） FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta），6.5A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 210 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.7nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 105pF @ 50V 功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-PowerTDFN 供应商器件封装: 8-HSOP

HT8MC5TB1

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: MOSFET - 阵列 60V 3.5A（Ta），10A（Tc），4A（Ta），11.5A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc）表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）

技术: MOSFET（金属氧化物）配置: N 和 P 沟道 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A（Ta），10A（Tc），4A（Ta），11.5A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 3.5A，10V，97 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.1nC @ 10V，17.1nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 135pF @ 30V 功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）

HT8MB5TB1

制造商: ROHM SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: MOSFET - 阵列 40V 5A（Ta），12A（Tc），6A（Ta），15A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc）表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）

技术: MOSFET（金属氧化物）配置: N 和 P 沟道 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Ta），12A（Tc），6A（Ta），15A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 47 毫欧 @ 5A，10V，44 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.5nC @ 10V，16.7nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 150pF @ 20V 功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）