天天芯片 - 物料搜索

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.9 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 11.0nC RDS (on)(typ): 1.9mΩ

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 600 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

Mounting: SMT QG: 8.8nC VDS: NoneV RDS (on)(typ): 35.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 4.7nC RDS (on)(typ): 5.0mΩ

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x5, 2.4 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT IDpuls(@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA ID (@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 11.0nC RDS (on)(typ): 2.4mΩ

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 8 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 3.4nC RDS (on)(typ): 8.0mΩ

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 650 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

VDS: NoneV QG: 33.0nC Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA RDS (on)(typ): 10.0mΩ Generation: ≤ G3

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x5, 2.4 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 11.0nC RDS (on)(typ): 2.4mΩ

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.8 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 9.0nC RDS (on)(typ): 2.8mΩ

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 8 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 3.4nC RDS (on)(typ): 8.0mΩ

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.4 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 13.0nC RDS (on)(typ): 1.4mΩ