APT66F60B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13190 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1135W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT41M80B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 43A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 210 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8070 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT84M50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 500 V 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 65 毫欧 @ 42A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 340 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1135W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT94N65B2C6
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 95A（Tc） 833W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 35.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 3.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 320 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8140 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 833W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT66M60B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 330 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13190 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1135W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT48M80B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 49A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 305 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9330 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1135W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT44F80B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 47A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 210 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 305 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9330 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1135W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT84F50B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 500 V 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 65 毫欧 @ 42A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 340 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1135W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT56F60B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 60A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 280 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 11300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式
APT22F120B2
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 23A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX™ [B2]
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 700 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8370 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1040W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: T-MAX™ [B2]
封装/外壳: TO-247-3 变式