IRFL4105TRPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 55 V 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 3.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 660 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
IRF640NLPBF
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1160 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-262
封装/外壳: TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IMZ120R090M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 26A（Tc） 115W（Tc） PG-TO247-4-1
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 117 毫欧 @ 8.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 707 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 115W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-1
封装/外壳: TO-247-4
XPH4R714MC,L1XHQ
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 60A（Ta） 960mW（Ta），132W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5640 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 960mW（Ta），132W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
TJ50S06M3L,LXHQ
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 50A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6290 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 90W（Tc）
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK+
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PSMN013-100YSEX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 82A（Tj） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 82A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3775 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 238W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
RD3P130SPFRATL
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 100 V 13A（Ta） 20W（Tc） TO-252
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 20W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TPH5200FNH,L1Q
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 250 V 26A（Tc） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 52 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2200 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 78W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
SPW20N60C3FKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 208W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
封装/外壳: TO-247-3
IMBF170R450M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1700 V 9.8A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-7-13
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450毫欧 @ 2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11 nC @ 12 V
Vgs（最大值）: +20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 610 pF @ 1000 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 107W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-13
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA