IRFR9120N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -100V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
Moisture Sensitivity Level: 1
P[tot] max: 39.0W
R[thJC] max: 3.2K/W
V[DS] max: -100.0V
Mounting: SMD
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: P
Q[gd]: 10.0nC
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 480.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 480.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 18.0nC
Q[G](typ @10V): 18.0nC
I[D ](@25°C) max: -6.6A
I[D ](@25°C) max: -6.6A
Budgetary Price €/1k: 0.41
Budgetary Price €/1k: 0.34
SPD15P10PG
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-Channel Power MOSFET -100 V in DPAK package
R[th]: 1.17K/W
P[tot] max: 128.0W
V[DS] max: -100.0V
Operating Temperature max: -55.0°C
I[Dpuls] max: -60.0A
Mounting: SMD
Mode: Enhancement
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: P
C[iss]: 961.0pF
C[oss]: 237.0pF
I[D ](@25°C) max: -15.0A
Q[G](typ @10V): -37.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 240.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Budgetary Price €/1k: 0.57
IPD11DP10NM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-Channel MOSFETs in normal level, reducing design complexity in medium and low power applications
I[D ](@25°C) max: -22.0A
I[D ] max: -22.0A
I[Dpuls] max: -88.0A
Mounting: SMT
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 125.0W
Package: DPAK (TO-252)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -59.0nC
Q[G]: -59.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 111.0mΩ
R[DS (on)] max: 111.0mΩ
V[DS] max: -100.0V
V[GS(th)] max: -4.0V
Budgetary Price €/1k: 0.51
SPD15P10PLG
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-Channel Power MOSFET in DPAK package
I[Dpuls] max: -60.0A
R[th]: 1.17K/W
P[tot] max: 128.0W
V[DS] max: -100.0V
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: P
Mounting: SMD
Mode: Enhancement
C[iss]: 1120.0pF
C[oss]: 272.0pF
I[D ](@25°C) max: -15.0A
Q[G](typ @10V): 47.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 200.0mΩ
V[GS(th)]: -1.5V
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.62
IPD19DP10NM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-channel MOSFETs in normal level, reducing design complexity in medium and low power applications
I[D ](@25°C) max: -13.7A
I[D ] max: -13.7A
I[Dpuls] max: -55.0A
Mounting: SMT
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 83.0W
Package: DPAK (TO-252)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -36.0nC
Q[G]: -36.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 186.0mΩ
R[DS (on)] max: 186.0mΩ
V[DS] max: -100.0V
V[GS(th)] max: -4.0V
Budgetary Price €/1k: 0.41
IRFR5410
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -100V Single P-Channel Power MOSFET in a D-Pak package
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: P
P[tot] max: 66.0W
R[thJC] max: 1.9K/W
V[DS] max: -100.0V
V[GS] max: 20.0V
Package: DPAK (TO-252)
Q[gd]: 21.3nC
T[j] max: 150.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 205.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 205.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 38.7nC
Q[G](typ @10V): 38.7nC
I[D ](@25°C) max: -13.0A
I[D ](@25°C) max: -13.0A
Budgetary Price €/1k: 0.34
Budgetary Price €/1k: 0.41
ISZ24DP10LM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
I[D ](@25°C) max: -10.3A
I[Dpuls] max: -41.1A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 63.0W
Package: PQFN 3.3 x 3.3 FL
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -29.6nC
Q[G](typ @4.5V): -14.9nC
R[DS (on)](@10V) max: 245.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 280.0mΩ
V[DS] max: -100.0V
V[GS(th)] max: -2.0V
ISC750P10LM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications
I[D ](@25°C) max: -32.0A
I[Dpuls] max: -129.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 188.0W
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -92.0nC
Q[G](typ @4.5V): -46.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 75.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 86.0mΩ
V[DS] max: -100.0V
V[GS(th)] max: -2.0V
IPP330P10NM
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ P-Channel MOSFET 100V in TO-220
I[D ](@25°C) max: -62.0A
I[D ] max: -62.0A
I[Dpuls] max: -248.0A
Mounting: THT
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 300.0W
Package: TO-220
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: P
Q[G](typ @10V): -189.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 33.0mΩ
V[DS] max: -100.0V
V[GS(th)] max: -4.0V
Budgetary Price €/1k: 1.74
IRF9530N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -100V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Polarity: P
Q[gd]: 21.3nC
T[j] max: 175.0°C
Mounting: THT
Package: TO-220
P[tot] max: 79.0W
R[thJC] max: 1.9K/W
V[DS] max: -100.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 200.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 38.7nC
I[D ](@25°C) max: -14.0A
Budgetary Price €/1k: 0.33