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IGC019S06S1

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.4 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 13.0nC RDS (on)(typ): 1.4mΩ

GS-065-060-5-T-A-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V ≤ G3 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 14.0nC RDS (on)(typ): 25.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G3

GS-065-030-6-LR-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 6.7nC RDS (on): NonemΩ RDS (on)(typ): 37.0mΩ VDS: NoneV Generation: G4

GS61004B-TR

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V ≤ G2 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 3.3nC RDS (on)(typ): 16.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G2

GS-065-030-2-L-TR

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V ≤ G3 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 6.7nC RDS (on)(typ): 50.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G3

IGLT65R025D2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V G5

Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on): NonemΩ Generation: G5 RDS (on)(typ): 25.0mΩ

IGLT65R035D2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V G5

Mounting: SMT VDS: NoneV RDS (on): NonemΩ RDS (on)(typ): 35.0mΩ Generation: G5

IGOT65R025D2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V G5

VDS: NoneV RDS (on): NonemΩ Mounting: SMT Generation: G5 RDS (on)(typ): 25.0mΩ

IGOT60R070D1

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 600 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

Mounting: SMT Package: DSO-20-87 Polarity: N QG: 5.8nC VDS: NoneV VGS(th): 1.2V RDS (on)(typ): 55.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: ≤ G3

IGOT60R042D1

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 600 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 8.8nC RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV RDS (on)(typ): 35.0mΩ ID (@ TA=25°C): NoneA Generation: ≤ G3