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NVXR22S90M2SPB

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: VE-Trac Direct SiC – 汽车主驱900V，2.2mOhm单侧直接冷却6-Pack碳化硅功率模块

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Six-Pack VBR Max (V): 900 RDS(on) Typ (mΩ): 2.2 Application: Automotive Traction Inverter Package Type: SSDC39, 154.50x92.00x15.80 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $1358.686

NVXR17S90M2SPC

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块，单侧直接散热，1.7mOhm 900V 6-Pack

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Six-Pack VBR Max (V): 900 RDS(on) Typ (mΩ): 1.7 Application: Automotive Traction Inverter Package Type: SSDC39, 154.50x92.00 (SPC) MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $1671.7566

NVXR22S90M2SPC

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: VE-Trac Direct SiC – 汽车主驱900V，2.2mOhm单侧直接冷却6-Pack碳化硅功率模块

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Six-Pack VBR Max (V): 900 RDS(on) Typ (mΩ): 2.2 Application: Automotive Traction Inverter Package Type: SSDC39, 154.50x92.00 (SPC) MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $1358.686

NXH003P120M3F2PTHG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Half-Bridge VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 3 Application: EV Charging, Energy Infrastructure Package Type: PIM36 56.70x42.50x12.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $208.5787

NXH003P120M3F2PTNG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC系列 3mohm SiC M3S MOSFET 1200V，2-PACK半桥拓扑，F2封装

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Half-Bridge VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 3 Application: EV Charging, Energy Infrastructure Package Type: PIM36 56.70x42.50x12.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $226.9126

NXH004P120M3F2PTNG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Half-Bridge VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 4 Application: EV Charging, Energy Infrastructure Package Type: PIM36 56.70x42.50x12.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $200.3335

NXH006P120M3F2PTHG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Half-Bridge VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 6 Application: EV Charging, Energy Infrastructure Package Type: PIM36 56.70x42.50x12.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $139.1544

NXH004P120M3F2PTHG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Half-Bridge VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 4 Application: EV Charging, Energy Infrastructure Package Type: PIM36 56.70x42.50x12.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $174.5316

NXH006P120MNF2PTG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC，6 mohm SiC MOSFET，1200V 半桥2-Pack，F2封装

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: 2-PACK VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 6 Application: EV Charging, Energy Infrastructure Package Type: PIM36 56.70x42.50x12.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $178.6947

NXH007F120M3F2PTHG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Bridge VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 7 Application: EV Charging, Energy Infrastructure Package Type: PIM34 56.70x42.50x12.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $156.1104