NVXK2KR80WDT
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: EliteSiC功率模块，用于OBC，80mΩ 1200V，维也纳整流器，APM32系列
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Configuration: Single
VBR Max (V): 1200
RDS(on) Typ (mΩ): 80
Application: Automotive OBC
Package Type: APM32 AUTOMOTIVE MODULE
MSL Type: 1
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: Price N/A
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Channel Polarity: N-Channel
Silicon Family: PowerTrench® T1
Package Name: TO-220FP
Type: High Voltage
Gate Level: Standard
Wide SOA Mosfets: 0
Configuration: Single
OPN in older Technology: 0
V(BR)DSS Min (V): 1500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ): 13000
VGS Max (V): 20
Vgs(th) Max (V): 3.5
ID Max (A): 2
PD Max (W): 2
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ): -
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ): -
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC): -
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC): 37.5
更多
Ciss Typ (pF): 380
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC): 20
Qrr Typ (nC): -
Coss Typ (pF): 70
Crss Typ (pF): 40
Package Type: TO-220-3 FullPak
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: No
参考价格: Price N/A
2SK3746-1E
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: N 沟道，功率 MOSFET，1500V，2A，13Ω，TO-3P-3L
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Channel Polarity: N-Channel
Silicon Family: PowerTrench® T1
Package Name: TO-3P-3
Type: High Voltage
Gate Level: Standard
Wide SOA Mosfets: 0
Configuration: Single
OPN in older Technology: 0
V(BR)DSS Min (V): 1500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ): 13
VGS Max (V): 20
Vgs(th) Max (V): 3.5
ID Max (A): 2
PD Max (W): 2
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ): -
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ): -
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC): -
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC): 37.5
更多
Ciss Typ (pF): 380
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC): -
Qrr Typ (nC): -
Coss Typ (pF): 70
Crss Typ (pF): 40
Package Type: TO-3P-3L
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: No
参考价格: Price N/A
SI7234DP-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 12V 60A 46W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.4 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 120nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5000pF @ 6V
功率 - 最大值: 46W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 双
IXFN26N90
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 底座安装 N 通道 900 V 26A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 300 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 600W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
IAUCN04S7N056DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 60A（Tj） 41W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-61
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.59 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 798pF @ 20V
功率 - 最大值: 41W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-61
IAUCN04S7N024DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 60A（Tj） 72W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-60
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.49 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2067pF @ 20V
功率 - 最大值: 72W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-60
PSMN4R2-40VSHX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 98A（Ta） 85W（Ta） 表面贴装型 LFPAK56D
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2590pF @ 25V
功率 - 最大值: 85W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装: LFPAK56D
IAUCN04S7N019DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 160A（Tj） 96W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-60
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.99 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3273pF @ 20V
功率 - 最大值: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-60
IAUCN10S5L094DATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 100V 66A（Tj） 96W（Tc） 表面贴装型 PG-TDSON-8-60
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 66A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2180pF @ 50V
功率 - 最大值: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-60