BSC094N06LS5ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 47A（Tc） 36W（Tc） PG-TDSON-8-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.4 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 14µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1300 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 36W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-6
封装/外壳: 8-PowerTDFN
SPD04N80C3ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 800 V 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.3 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 570 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 63W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STP60NF10
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 100 V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4270 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
IPP60R360P7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 360 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 555 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 41W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
IRF9540PBF-BE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
IRF9540PBF
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
SI1539CDL-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 700mA，500mA 340mW 表面贴装型 SC-70-6
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA，500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 388 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 28pF @ 15V
功率 - 最大值: 340mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-70-6
SN7002NH6327XTSA2
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.8V @ 26µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 45 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSC0909NSATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 34 V 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PG-TDSON-8-5
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 34 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1110 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），27W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-5
封装/外壳: 8-PowerTDFN
US6M11TR
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 20V，12V 1.5A，1.3A 1W 表面贴装型 TUMT6
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 20V，12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A，1.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 110pF @ 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD，扁平引线
供应商器件封装: TUMT6