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IPD11DP10NM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-Channel MOSFETs in normal level, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -22.0A I[D ] max: -22.0A I[Dpuls] max: -88.0A Mounting: SMT Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 125.0W Package: DPAK (TO-252) Pin Count: 3.0Pins Polarity: P Q[G](typ @10V): -59.0nC Q[G]: -59.0nC R[DS (on)](@10V) max: 111.0mΩ R[DS (on)] max: 111.0mΩ V[DS] max: -100.0V V[GS(th)] max: -4.0V Budgetary Price €/1k: 0.51

SPD15P10PLG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-Channel Power MOSFET in DPAK package

I[Dpuls] max: -60.0A R[th]: 1.17K/W P[tot] max: 128.0W V[DS] max: -100.0V Package: DPAK (TO-252) Polarity: P Mounting: SMD Mode: Enhancement C[iss]: 1120.0pF C[oss]: 272.0pF I[D ](@25°C) max: -15.0A Q[G](typ @10V): 47.0nC R[DS (on)](@10V) max: 200.0mΩ V[GS(th)]: -1.5V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.62

IPD19DP10NM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel MOSFETs in normal level, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -13.7A I[D ] max: -13.7A I[Dpuls] max: -55.0A Mounting: SMT Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 83.0W Package: DPAK (TO-252) Pin Count: 3.0Pins Polarity: P Q[G](typ @10V): -36.0nC Q[G]: -36.0nC R[DS (on)](@10V) max: 186.0mΩ R[DS (on)] max: 186.0mΩ V[DS] max: -100.0V V[GS(th)] max: -4.0V Budgetary Price €/1k: 0.41

IRFR5410

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -100V Single P-Channel Power MOSFET in a D-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: P P[tot] max: 66.0W R[thJC] max: 1.9K/W V[DS] max: -100.0V V[GS] max: 20.0V Package: DPAK (TO-252) Q[gd]: 21.3nC T[j] max: 150.0°C R[DS (on)](@10V) max: 205.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 205.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 38.7nC Q[G](typ @10V): 38.7nC I[D ](@25°C) max: -13.0A I[D ](@25°C) max: -13.0A Budgetary Price €/1k: 0.34 Budgetary Price €/1k: 0.41

ISZ24DP10LM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -10.3A I[Dpuls] max: -41.1A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 63.0W Package: PQFN 3.3 x 3.3 FL Polarity: P Q[G](typ @10V): -29.6nC Q[G](typ @4.5V): -14.9nC R[DS (on)](@10V) max: 245.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 280.0mΩ V[DS] max: -100.0V V[GS(th)] max: -2.0V

ISC750P10LM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel MOSFETs in logic level, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -32.0A I[Dpuls] max: -129.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 188.0W Package: SuperSO8 5x6 Polarity: P Q[G](typ @10V): -92.0nC Q[G](typ @4.5V): -46.0nC R[DS (on)](@10V) max: 75.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 86.0mΩ V[DS] max: -100.0V V[GS(th)] max: -2.0V

IPP330P10NM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ P-Channel MOSFET 100V in TO-220

I[D ](@25°C) max: -62.0A I[D ] max: -62.0A I[Dpuls] max: -248.0A Mounting: THT Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 300.0W Package: TO-220 Pin Count: 3.0Pins Polarity: P Q[G](typ @10V): -189.0nC R[DS (on)](@10V) max: 33.0mΩ V[DS] max: -100.0V V[GS(th)] max: -4.0V Budgetary Price €/1k: 1.74

IRF9530N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -100V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package

Polarity: P Q[gd]: 21.3nC T[j] max: 175.0°C Mounting: THT Package: TO-220 P[tot] max: 79.0W R[thJC] max: 1.9K/W V[DS] max: -100.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 200.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 38.7nC I[D ](@25°C) max: -14.0A Budgetary Price €/1k: 0.33

IRF9540N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -100V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package

Package: TO-220 Q[gd]: 34.0nC T[j] max: 175.0°C Mounting: THT Polarity: P P[tot] max: 140.0W R[thJC] max: 1.1K/W V[DS] max: -100.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 117.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 64.7nC I[D ](@25°C) max: -23.0A Budgetary Price €/1k: 0.51

IRF5210

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: -100V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package

Mounting: THT Package: TO-220 Polarity: P P[tot] max: 200.0W Q[gd]: 64.7nC R[thJC] max: 0.75K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: -100.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 60.0mΩ V[GS(th)]: -3.0V Q[G](typ @10V): 120.0nC I[D ](@25°C) max: -40.0A Budgetary Price €/1k: 0.7