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IQD016N08NM5CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 80 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with very low RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 323.0A I[Dpuls] max: 1292.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 106.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.57mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 1.88

IQD009N06NM5CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .

I[D ](@25°C) max: 445.0A I[Dpuls] max: 1780.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 120.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 1.81

IQDH88N06LM5CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .

I[D ](@25°C) max: 447.0A I[Dpuls] max: 1788.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 76.0nC Q[G](typ @10V): 152.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.86mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 1.24mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 1.7V Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 1.77

IRF7854

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 80V N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a SO-8 package

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W Q[gd]: 8.7nC R[thJA] max: 50.0K/W T[j] max: 150.0°C V[DS] max: 80.0V V[GS] max: 20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Package: SO-8 Polarity: N Mounting: SMD R[DS (on)](@10V) max: 13.4mΩ V[GS(th)]: 3.95V Q[G](typ @10V): 27.0nC I[D ](@25°C) max: 10.0A Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.47

BSC052N08NS5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V for telecom applications

I[Dpuls] max: 380.0A Mounting: SMD P[tot] max: 83.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 32.0nC R[th]: 1.5K/W R[thJA] max: 50.0K/W R[thJC] max: 1.5K/W V[DS] max: 80.0V C[iss]: 2200.0pF C[oss]: 370.0pF R[DS (on)](@10V) max: 5.2mΩ Package: SuperSO8 5x6 I[D ](@25°C) max: 95.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.55

BSC061N08NS5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V for telecom applications

I[Dpuls] max: 328.0A Mounting: SMD P[tot] max: 74.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 27.0nC R[th]: 1.7K/W R[thJA] max: 50.0K/W R[thJC] max: 1.7K/W V[DS] max: 80.0V C[iss]: 1900.0pF C[oss]: 310.0pF R[DS (on)](@10V) max: 6.1mΩ Package: SuperSO8 5x6 I[D ](@25°C) max: 82.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.52

BSC012N06NS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max: 306.0A I[Dpuls] max: 1224.0A Mounting: SMT P[tot] max: 214.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 115.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.2mΩ V[DS] max: 60.0V I[D ](@ T[C]=25°C) max: 306.0A Package: SuperSO8 5x6 V[GS(th)]: 2.8V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 24-36 V Special Features: Fused leads Budgetary Price €/1k: 1.21

BSC026N08NS5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V for telecom applications

I[Dpuls] max: 400.0A Mounting: SMD P[tot] max: 156.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 74.0nC R[th]: 0.8K/W R[thJA] max: 50.0K/W V[DS] max: 80.0V C[iss]: 5200.0pF C[oss]: 840.0pF R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ Package: SuperSO8 5x6 I[D ](@25°C) max: 100.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 0.98

IQE050N08NM5CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 80 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance

I[D ](@25°C) max: 101.0A Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 34.6nC R[DS (on)](@10V) max: 5.0mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 0.94

IQE046N08LM5CG

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate package

I[D ](@25°C) max: 99.0A I[Dpuls] max: 396.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 100.0W Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 19.0nC Q[G](typ @10V): 38.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.6mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 5.9mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 1.7V Special Features: Center-Gate Budgetary Price €/1k: 1.09