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ISC055N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max: 130.0A I[Dpuls] max: 520.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 43.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.5mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 214.0W Package: SuperSO8 5x6 FL Special Features: Fused leads

IPP029N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

I[D ](@25°C) max: 197.0A I[Dpuls] max: 788.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Package: TO-220 Polarity: N Q[G](typ @10V): 105.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.9mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W

IPT026N12NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 224.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 70.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ V[DS] max: 120.0V V[GS(th)]: 3.1V

IPTG025N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 264.0A I[Dpuls] max: 1056.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 105.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W Package: TOLG (HSOG-8)

IPT025N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 263.0A I[Dpuls] max: 1052.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 105.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W Package: TOLL (HSOF-8)

IRFS4229

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package

Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) P[tot] max: 330.0W Q[gd]: 26.0nC T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 30.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Polarity: N R[thJC] max: 0.45K/W V[DS] max: 250.0V R[DS (on)](@10V) max: 48.0mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 72.0nC I[D ](@25°C) max: 45.0A Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 144-200 V Budgetary Price €/1k: 1.44

IRFP3006

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Package: TO-247 Polarity: N P[tot] max: 375.0W Q[gd]: 60.0nC R[thJC] max: 0.4K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 60.0V V[GS] max: 20.0V Mounting: THT R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 200.0nC I[D ](@25°C) max: 270.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 2.22 Budgetary Price €/1k: 2.22

IPB339N20NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 3-pin package

I[D ](@25°C) max: 39.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 15.9nC R[DS (on)](@10V) max: 33.9mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V Budgetary Price €/1k: 1.32

IPTG025N08NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 184.0A Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 70.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.72

IRFP3077

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 75V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Package: TO-247 Polarity: N P[tot] max: 340.0W Q[gd]: 42.0nC R[thJC] max: 0.44K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 75.0V V[GS] max: 20.0V Mounting: THT R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 160.0nC I[D ](@25°C) max: 200.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.52 Budgetary Price €/1k: 1.52