IPT067N20NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-Leadless package
I[D ](@25°C) max: 137.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TOLL (HSOF-8)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 71.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 6.7mΩ
V[DS] max: 200.0V
V[GS(th)]: 3.7V
Budgetary Price €/1k: 3.34
IPT017N12NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLL package
I[D ](@25°C) max: 331.0A
I[Dpuls] max: 1324.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 395.0W
Package: TOLL (HSOF-8)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 113.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ
V[DS] max: 120.0V
V[GS(th)]: 3.1V
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 2.25
IPT054N15N5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V 5.4 mOhm in TOLL
I[D ](@25°C) max: 143.0A
I[D ] max: 143.0A
I[Dpuls] max: 572.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 250.0W
Package: TOLL (HSOF-8)
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 55.0nC
Q[G]: 55.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 5.4mΩ
R[DS (on)] max: 5.4mΩ
V[DS] max: 150.0V
V[GS(th)]: 3.8V
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 72-96 V
Budgetary Price €/1k: 1.76
IPT020N13NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLL
I[D ](@25°C) max: 297.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TOLL (HSOF-8)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 159.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ
V[DS] max: 135.0V
V[GS(th)]: 3.0V
Budgetary Price €/1k: 2.17
IPT015N10N5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 100V OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLL
I[Dpuls] max: 1200.0A
P[tot] max: 375.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 169.0nC
R[th]: 0.4K/W
R[thJA] max: 62.0K/W
V[DS] max: 100.0V
C[iss]: 12000.0pF
C[oss]: 1800.0pF
R[DS (on)](@10V) max: 1.5mΩ
Package: TOLL (HSOF-8)
I[D ](@25°C) max: 300.0A
V[GS(th)]: 3.0V
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 48-72 V
Budgetary Price €/1k: 1.96
IPT044N15N5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V 4.4 mOhm in TOLL
I[D ](@25°C) max: 174.0A
I[D ] max: 174.0A
I[Dpuls] max: 696.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 300.0W
Package: TOLL (HSOF-8)
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 67.0nC
Q[G]: 67.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 4.4mΩ
R[DS (on)] max: 4.4mΩ
V[DS] max: 150.0V
V[GS(th)]: 3.8V
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 72-96 V
Budgetary Price €/1k: 1.89
IPT129N20NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-Leadless package
I[D ](@25°C) max: 87.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TOLL (HSOF-8)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 37.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 12.9mΩ
V[DS] max: 200.0V
V[GS(th)]: 3.7V
Budgetary Price €/1k: 2.94
IPT039N15N5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V 3.9 mOhm in TOLL
I[D ](@25°C) max: 190.0A
I[D ] max: 190.0A
I[Dpuls] max: 760.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 319.0W
Package: TOLL (HSOF-8)
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 78.0nC
Q[G]: 78.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 3.9mΩ
R[DS (on)] max: 3.9mΩ
V[DS] max: 150.0V
V[GS(th)]: 3.8V
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 72-96 V
Budgetary Price €/1k: 2.16
IPT063N15N5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V 6.3 mOhm in TOLL
I[D ](@25°C) max: 122.0A
I[D ] max: 122.0A
I[Dpuls] max: 488.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 214.0W
Package: TOLL (HSOF-8)
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 47.0nC
Q[G]: 47.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 6.3mΩ
R[DS (on)] max: 6.3mΩ
V[DS] max: 150.0V
V[GS(th)]: 3.8V
Operating Temperature max: 175.0°C
Battery voltage: 72-96 V
Budgetary Price €/1k: 1.62
IPTC026N12NM6
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLT package
I[D ](@25°C) max: 222.0A
I[Dpuls] max: 888.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 278.0W
Package: TOLT (HDSOP-16)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 70.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ
V[DS] max: 120.0V
V[GS(th)]: 3.1V
Budgetary Price €/1k: 2.71