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IPTC017N12NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLT package

I[D ](@25°C) max: 331.0A I[Dpuls] max: 1324.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 113.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ V[DS] max: 120.0V V[GS(th)]: 3.1V Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 3.26

IRFP4568

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Package: TO-247 Q[gd]: 55.0nC T[j] max: 175.0°C Mounting: THT Polarity: N P[tot] max: 517.0W R[thJC] max: 0.29K/W V[DS] max: 150.0V V[GS] max: 30.0V R[DS (on)](@10V) max: 5.9mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 151.0nC I[D ](@25°C) max: 171.0A Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 2.31

IPTC039N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 190.0A I[D ] max: 190.0A I[Dpuls] max: 760.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 319.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 74.0nC Q[G]: 74.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.9mΩ R[DS (on)] max: 3.9mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 2.61

IPTC044N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 174.0A I[D ] max: 174.0A I[Dpuls] max: 696.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 300.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 71.0nC Q[G]: 71.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.4mΩ R[DS (on)] max: 4.4mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 2.3

IPTG054N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 143.0A I[D ] max: 143.0A I[Dpuls] max: 572.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 250.0W Package: TOLG (HSOG-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 58.0nC Q[G]: 58.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.4mΩ R[DS (on)] max: 5.4mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 2.08

IPTC063N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 122.0A I[D ] max: 122.0A I[Dpuls] max: 488.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 214.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 50.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.3mΩ R[DS (on)] max: 6.3mΩ Q[G]: 50.0nC V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 1.99

IPTC054N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 143.0A I[D ] max: 143.0A I[Dpuls] max: 572.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 250.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 58.0nC Q[G]: 58.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.4mΩ R[DS (on)] max: 5.4mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 2.14

IPTC020N13NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLT

I[D ](@25°C) max: 297.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 159.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ V[DS] max: 135.0V V[GS(th)]: 3.0V Budgetary Price €/1k: 3.72

IST026N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V, 2.6 mOhm, 248 A, in sTOLL - 7x8 mm2 power MOS package

I[D ](@25°C) max: 248.0A I[Dpuls] max: 992.0A P[tot] max: 313.0W Package: sTOLL (HSOF-5) Pin Count: 5.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 89.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)] max: 3.8V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.44

IPTC014N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 365.0A I[Dpuls] max: 1460.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 375.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 168.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.4mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 2.11