R[DS (on)](@25°C) max: 34.0mΩ
Q[G]: 48.0nC
Qualification: COTS
I[D ](@25°C) max: 35.0A
TID max: 100.0Krad(Si)
Die Size: 3
QPL Part Number: 2N7648U3C
ESD Class: Class 2
Polarity: N
Generation: R9
Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300
V[F] max: 1.2V
Package: SMD-0.5e Ceramic Lid
V[BRDSS]: 100.0V
ISC012N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 270.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 33.0nC
Q[G](typ @10V): 69.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.28mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 2.1mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC028N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 128.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 13.0nC
Q[G](typ @10V): 27.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.8mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 4.5mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC015N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 214.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 24.0nC
Q[G](typ @10V): 50.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.5mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 2.6mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC052N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 74.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 7.4nC
Q[G](typ @10V): 15.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 5.2mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 9.8mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC033N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 108.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 10.0nC
Q[G](typ @10V): 21.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 5.5mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC023N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 150.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 16.0nC
Q[G](typ @10V): 33.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 3.9mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISC009N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package
I[D ](@25°C) max: 341.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 46.0nC
Q[G](typ @10V): 95.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 1.45mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
IRF2804S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Mounting: SMD
Package: D2PAK (TO-263)
P[tot] max: 330.0W
Q[gd]: 66.0nC
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: 40.0V
V[GS] max: 20.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
R[thJC] max: 0.45K/W
R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ
V[GS(th)]: 3.0V
Q[G](typ @10V): 160.0nC
I[D ](@25°C) max: 270.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 1.01
IRF2804
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 40V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
Polarity: N
P[tot] max: 330.0W
Q[gd]: 66.0nC
R[thJC] max: 0.45K/W
V[DS] max: 40.0V
V[GS] max: 20.0V
Mounting: THT
T[j] max: 175.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ
V[GS(th)]: 3.0V
Q[G](typ @10V): 160.0nC
I[D ](@25°C) max: 270.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.98