Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): to
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Operating temperature range (°C): to
IPT023N10NM5LF2
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ 5 Single N-channel Linear FET 2 100 V, 2.3 mΩ, 243 A in TOLL package
I[D ](@25°C) max: 243.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TOLL (HSOF-8)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 115.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ
V[DS] max: 100.0V
V[GS(th)]: 3.1V
Special Features: Wide SOA
ISA170230C04LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 40 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 9.6A
I[D ](@25°C) max: -8.8A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+P
Q[G](typ @4.5V): 6.0nC
Q[G](typ @10V): 13.0nC
Q[G](typ @4.5V): -12.6nC
Q[G](typ @10V): -25.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 17.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 23.6mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 23.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 29.5mΩ
V[DS] max: 40.0V
V[DS] max: -40.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
V[GS(th)] max: -2.7V
ISA250300C04LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 40 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 7.9A
I[D ](@25°C) max: -7.8A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+P
Q[G](typ @4.5V): 3.8nC
Q[G](typ @10V): 7.9nC
Q[G](typ @4.5V): -8.1nC
Q[G](typ @10V): -16.1nC
R[DS (on)](@10V) max: 25.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 32.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 30.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 44.0mΩ
V[DS] max: 40.0V
V[DS] max: -40.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
V[GS(th)] max: -2.7V
ISA220280C03LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 30 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 8.4A
I[D ](@25°C) max: -8.1A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+P
Q[G](typ @4.5V): 4.2nC
Q[G](typ @10V): 8.9nC
Q[G](typ @4.5V): -7.2nC
Q[G](typ @10V): -14.8nC
R[DS (on)](@10V) max: 22.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 25.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 28.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 37.0mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[DS] max: -30.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
V[GS(th)] max: -2.7V
ISA150233C03LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 30 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 10.2A
I[D ](@25°C) max: -8.8A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+P
Q[G](typ @4.5V): 6.7nC
Q[G](typ @4.5V): -12.0nC
Q[G](typ @10V): 14.0nC
Q[G](typ @10V): -24.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 15.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 18.7mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 23.3mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 27.7mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[DS] max: -30.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
V[GS(th)] max: -2.7V
ISA250250N04LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+N channel power MOSFET 40 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 7.9A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+N
Q[G](typ @4.5V): 3.8nC
Q[G](typ @10V): 7.9nC
R[DS (on)](@10V) max: 25.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 32.0mΩ
V[DS] max: 40.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
ISA170170N04LMDS
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: OptiMOS™ Dual N+N channel power MOSFET 40 V in SO-8 package
I[D ](@25°C) max: 9.6A
Operating Temperature max: 150.0°C
Package: SO-8
Polarity: N+N
Q[G](typ @4.5V): 6.0nC
Q[G](typ @10V): 13.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 17.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 23.6mΩ
V[DS] max: 40.0V
V[GS(th)] max: 2.7V
Die Size: 3
ESD Class: Class 2
Generation: R9
I[D ](@25°C) max: 17.0A
Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300
Polarity: N
Q[G]: 34.0nC
QPL Part Number: 7649U3CE
Qualification: COTS
R[DS (on)](@25°C) max: 110.0mΩ
TID max: 100.0Krad(Si)
V[F] max: 1.2V
Package: SMD-0.5e Ceramic Lid
V[BRDSS]: 250.0V
Die Size: 3
ESD Class: Class 2
Qualification: COTS
Q[G]: 45.0nC
Package: SMD-0.5e Ceramic Lid
TID max: 100.0Krad(Si)
Polarity: N
Generation: R9
Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300
I[D ](@25°C) max: 40.0A
R[DS (on)](@25°C) max: 18.0mΩ
V[BRDSS]: 60.0V