状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Channel Polarity: N-Channel
V(BR)DSS Min (V): 52
ID Typ (A): 9
rDS(on) Max (mΩ): 1210
PD Max (W): 1.74
Package Type: Bare Die
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: No
参考价格: Price N/A
IPD023N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package
I[D ](@25°C) max: 137.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 24.0nC
Q[G](typ @10V): 50.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.35mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 3.5mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
IPD020N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package
I[D ](@25°C) max: 143.0A
I[Dpuls] max: 572.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 33.0nC
Q[G](typ @10V): 69.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.05mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 2.7mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
IPD030N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package
I[D ](@25°C) max: 99.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 16.0nC
Q[G](typ @10V): 33.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 3.05mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 4.8mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
IPD040N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package
I[D ](@25°C) max: 73.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 13.0nC
Q[G](typ @10V): 27.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 4.05mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 5.9mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
IPD047N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package
I[D ](@25°C) max: 71.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 10.0nC
Q[G](typ @10V): 21.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 4.7mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 7.3mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISZ028N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
I[D ](@25°C) max: 128.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 13.0nC
Q[G](typ @10V): 27.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.8mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 4.8mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISZ056N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
I[D ](@25°C) max: 72.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 7.4nC
Q[G](typ @10V): 15.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 5.6mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 10.0mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
ISZ033N03LF2S
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in PQFN 3.3 x 3.3 package
I[D ](@25°C) max: 109.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: PQFN 3.3 x 3.3
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 10.0nC
Q[G](typ @10V): 21.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 5.7mΩ
V[DS] max: 30.0V
V[GS(th)]: 1.85V
