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IRHNPC9A3214

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Qualification: COTS R[DS (on)](@25°C) max: 570.0mΩ I[D ](@25°C) max: 4.4A Q[G]: 10.0nC TID max: 300.0Krad(Si) Die Size: 1 QPL Part Number: 2N7657U9C ESD Class: 1B Polarity: N Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 V[F] max: 1.2V Generation: R9 Package: SMD-0.1 V[BRDSS] min: 250.0V

IRHNPC9A7214

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Qualification: COTS V[BRDSS] min: 250.0V I[D ](@25°C) max: 4.4A R[DS (on)](@25°C) max: 570.0mΩ Q[G]: 10.0nC TID max: 100.0Krad(Si) Die Size: 1 QPL Part Number: 2N7657U9C ESD Class: 1B Polarity: N Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 V[F] max: 1.2V Generation: R9 Package: SMD-0.1

IQE008N03LM5SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC package

I[D ](@25°C) max: 252.0A I[Dpuls] max: 1008.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 30.0nC Q[G](typ @10V): 64.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.85mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 1.0mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.6V Budgetary Price €/1k: 0.87

IQE008N03LM5CGSC

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate DSC package

IQDH45N04LM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V logic level in PQFN 5x6 Source-Down package with very low RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 637.0A I[Dpuls] max: 2548.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 62.0nC Q[G](typ @10V): 129.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.45mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.58mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 1.6V Budgetary Price €/1k: 1.45

IQDH29NE2LM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 25 V in PQFN 5x6 Source-Down package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 789.0A I[Dpuls] max: 3156.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 88.0nC Q[G](typ @10V): 191.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.29mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.35mΩ V[DS] max: 25.0V V[GS(th)]: 1.6V Budgetary Price €/1k: 1.47

IQDH35N03LM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 Source-Down package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 700.0A I[Dpuls] max: 2800.0A Mounting: SMD Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 91.0nC Q[G](typ @10V): 197.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.35mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.5mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.6V Budgetary Price €/1k: 1.5

ISP16DP10LMA

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel power MOSFETs 100 V in SOT-223 package for automotive applications

I[D ](@25°C) max: -3.9A I[Dpuls] max: -15.6A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-223 Polarity: P Q[G](typ @4.5V): -21.0nC Q[G](typ @10V): -41.0nC R[DS (on)](@10V) max: 167.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 190.0mΩ V[DS] max: -100.0V V[GS(th)] max: -2.0V

ISP670P06NMA

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: P-channel power MOSFETs 60 V in SOT-223 package for automotive applications

I[D ](@25°C) max: -6.4A I[Dpuls] max: -25.6A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-223 Polarity: P Q[G](typ @10V): -36.0nC R[DS (on)](@10V) max: 67.0mΩ V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -4.0V

IPT017N10NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 Single N-channel Linear FET 2 100 V, 1.7 mΩ, 321 A in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 321.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 165.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.1V Special Features: Wide SOA