天天芯片 - 物料搜索

IQD016N08NM5CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 80 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with very low RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 323.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 106.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.57mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

IQD009N06NM5SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V normal-level in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 445.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 120.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V

IQD009N06NM5CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V normal-level in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 445.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 120.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V

IQD016N08NM5SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 80 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with very low RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 323.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 106.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.57mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

IQD063N15NM5CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 150 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 151.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 48.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.32mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V

IQD063N15NM5SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 150 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 151.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 48.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.32mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V

IQD020N10NM5CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 100 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 276.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 107.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.05mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V

IQD020N10NM5SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 100 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 276.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 107.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.05mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V

BSB056N10NN3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

P[tot] max: 78.0W V[DS] max: 100.0V Q[G](typ @10V): 56.0nC I[Dpuls] max: 332.0A R[th]: 1.6K/W Polarity: N C[iss]: 4100.0pF C[oss]: 750.0pF R[DS (on)](@10V) max: 5.6mΩ Micro-stencil: IRF66MN-25 I[D ](@25°C) max: 83.0A V[GS(th)]: 2.7V Package: DirectFET (M) Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 1.11 Budgetary Price €/1k: 1.11

BSB165N15NZ3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 180.0A R[th]: 1.6K/W P[tot] max: 78.0W V[DS] max: 150.0V Q[G](typ @10V): 26.0nC Polarity: N C[iss]: 2100.0pF C[oss]: 240.0pF R[DS (on)](@10V) max: 16.5mΩ Micro-stencil: IRF66MZ-25 I[D ](@25°C) max: 45.0A V[GS(th)]: 3.0V Package: DirectFET (M) Operating Temperature max: 150.0°C Budgetary Price €/1k: 1.04 Budgetary Price €/1k: 1.04