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IQD005N04NM6SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V normal level in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with very low RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 597.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 130.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.49mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.3V

IQDH29NE2LM5CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 25 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 789.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 88.0nC Q[G](typ @10V): 191.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.29mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.35mΩ V[DS] max: 25.0V V[GS(th)]: 1.6V

IQDH35N03LM5CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 700.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 91.0nC Q[G](typ @10V): 197.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.35mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.4mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.6V

IQDH29NE2LM5SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 25 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on)

IQDH35N03LM5SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).

IQDH45N04LM6CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with very low RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 611.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 62.0nC Q[G](typ @10V): 129.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.49mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.58mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 1.6V

IQD005N04NM6CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V normal level in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with very low RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 597.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 130.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.49mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.3V

IQDH45N04LM6SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with very low RDS(on).

IQDH88N06LM5SC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 447.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 76.0nC Q[G](typ @10V): 152.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.86mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 1.24mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 1.7V

IQDH88N06LM5CGSC

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)