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BSS131I

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industrial grade N-Channel Small Signal MOSFET in SOT23 package and 240 V breakdown voltage

I[D ](@25°C) max: 0.121A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-23 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 1.11nC Q[G](typ @10V): 1.96nC R[DS (on)](@10V) max: 14000.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 20000.0mΩ Special Features: Small Signal V[DS] max: 240.0V V[GS(th)]: 1.4V

BSP170I

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industrial grade P-channel power MOSFET in SOT223 package, reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -3.2A I[Dpuls] max: -12.8A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-223 Polarity: P Q[G](typ @10V): -10.8nC R[DS (on)](@10V) max: 260.0mΩ Special Features: Small Signal V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -4.0V V[GS(th)] max: -4.0V

BSS84I

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Industrial grade P-channel power MOSFETs in SOT23 package reducing design complexity in medium and low power applications

I[D ](@25°C) max: -0.29A Operating Temperature max: 150.0°C Package: SOT-23 Polarity: P Q[G](typ @4.5V): -0.29nC Q[G](typ @10V): -0.59nC R[DS (on)](@10V) max: 5500.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 7000.0mΩ Special Features: Small Signal V[DS] max: -60.0V V[GS(th)] max: -2.0V

ISZ157N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in PQFN 3.3x3.3

I[D ](@25°C) max: 37.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead Polarity: N Q[G](typ @10V): 8.3nC R[DS (on)](@10V) max: 15.7mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISZ053N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in PQFN 3.3 x 3.3

I[D ](@25°C) max: 90.0A I[Dpuls] max: 360.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 100.0W Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead Polarity: N Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.3mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

IQFH68N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with ultra-low RDS(on)

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 168.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.68mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V I[D ](@25°C) max: 460.0A

IQFH99N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with very-low RDS(on)

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 115.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.99mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V I[D ](@25°C) max: 339.0A

IQFH86N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with very-low RDS(on)

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 137.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.86mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V I[D ](@25°C) max: 394.0A

IQFH61N06NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in compact, high performance PQFN 8x6 package with benchmark RDS(on) in the industry

Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 8x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 190.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.61mΩ V[DS] max: 60.0V V[GS(th)]: 2.8V I[D ](@25°C) max: 510.0A

ISC014N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 279.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @10V): 79.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.45mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V