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ISC151N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 37.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 8.3nC R[DS (on)](@10V) max: 15.1mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC056N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 88.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.6mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC031N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 145.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 37.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.1mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC018N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 230.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 63.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC088N08NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 59.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 13.7nC R[DS (on)](@10V) max: 8.8mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V

ISC025N08NM5LF2

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 Single N-Channel Linear FET 80 V, 2.55 mΩ, 199 A in a SuperSO8 (5x6) package

I[D ](@25°C) max: 198.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 FL Polarity: N Q[G](typ @10V): 77.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.55mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.1V Special Features: Wide SOA

IPB175N20NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 3-pin package

I[D ](@25°C) max: 61.0A I[D ] max: 61.0A I[Dpuls] max: 244.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[G](typ @10V): 31.0nC Q[G]: 31.0nC R[DS (on)](@10V) max: 17.5mΩ R[DS (on)] max: 17.5mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V

IPP175N20NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-220 package

I[D ](@25°C) max: 61.0A I[D ] max: 61.0A I[Dpuls] max: 244.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TO-220 Polarity: N Q[G](typ @10V): 31.0nC Q[G]: 31.0nC R[DS (on)](@10V) max: 17.5mΩ R[DS (on)] max: 17.5mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V

NCV84160DR2G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Channel Polarity: High Side Switch V(BR)DSS Min (V): 41 ID Typ (A): 1 rDS(on) Max (mΩ): 160 PD Max (W): 1.49 Package Type: SOIC-8 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: $0.9115

FDB045AN08A0-F085

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 75 V、80 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Channel Polarity: N-Channel Silicon Family: PowerTrench® T1 Package Name: D2PAK-3 Type: Low-Medium Voltage Gate Level: Standard Wide SOA Mosfets: 0 Configuration: Single OPN in older Technology: 0 V(BR)DSS Min (V): 80 RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ): 4.5 Vgs (V): ±20 Vgs(th) Max (V): 4 ID Max (A): 80 PD Max (W): 310 RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ): - RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ): - Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC): - Qg Typ @ VGS = 10 V (nC): 92 更多

Ciss Typ (pF): 6600 Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC): 21 Qrr Typ (nC): 54 Coss Typ (pF): 1000 Crss Typ (pF): 240 Package Type: D2PAK-3 / TO-263-2 MSL Type: 1 MSL Temp (°C): 245 ON Target: No 参考价格: Price N/A