PSMN013-30MLC,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 39A（Tc） 38W（Tc） LFPAK33
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 519 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 38W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK33
封装/外壳: SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
IPN50R1K4CEATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 500 V 4.8A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 欧姆 @ 900mA，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 178 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 5W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-3
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
BUK9M120-100EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 11.5A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 119 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.05V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 882 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 44W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK33
封装/外壳: SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
BUK9Y72-80E,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 15A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 72 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 898 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 45W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
BUK9Y113-100E,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 12A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 870 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 45W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
BUK9Y15-60E,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 53A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.2 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2603 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 95W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
BUK7613-60E,118
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 58A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1730 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 50A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6290 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 90W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK+
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IGLR70R140D2SXUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 700 V 13A（Tc） 47W（Tc） PG-TSON-8-8
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 170 毫欧 @ 3.1A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.8 nC @ 3 V
Vgs（最大值）: -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 133 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 47W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSON-8-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
IGLR65R140D2XUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 13A（Tc） 47W（Tc） PG-TSON-8-8
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 170 毫欧 @ 3.1A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.8 nC @ 3 V
Vgs（最大值）: -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 155 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 47W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSON-8-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN