SPB20N60C3ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 208W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SPP20N60C3XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 208W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
IMW120R220M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 13A（Tc） 75W（Tc） PG-TO247-3-41
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 286 毫欧 @ 4A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.5 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 289 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
IPA95R130PFD7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 950 V 13.9A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220 整包
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 130 毫欧 @ 25.1A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1.25mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 141 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4170 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 33W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220 整包
封装/外壳: TO-220-3 整包
IMZ120R220M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 13A（Tc） 75W（Tc） PG-TO247-4-1
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 220 毫欧 @ 4A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.5 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 289 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-1
封装/外壳: TO-247-4
PSMN1R4-100CSEJ
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 340A（Tc） 935W（Tc） CCPAK1212i
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 340A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.42 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 366 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 26023 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 935W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: CCPAK1212i
封装/外壳: 12-BESOP（0.370，9.40mm 宽），裸焊盘
C3M0060065J
制造商: WOLFSPEED, INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 36A（Tc） 136W（Tc） TO-263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 13.2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1020 pF @ 600 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMZC120R053M2HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 38A（Tc） 182W（Tc） PG-TO247-4-17
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 53 毫欧 @ 13A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 4.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1010 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 182W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-17
封装/外壳: TO-247-4
IMZA120R053M2HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 38A（Tc） 182W（Tc） PG-TO247-4-8
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 69 毫欧 @ 13A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 4.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1010 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 182W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-8
封装/外壳: TO-247-4
IXFH26N50P
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 500 V 26A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 230 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3600 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 400W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD（IXFH）
封装/外壳: TO-247-3