IMLT40R011M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 400 V 144A（Tc） 429W（Tc） PG-HDSOP-16-8
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 144A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 37.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 85 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2900 pF @ 200 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 429W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-16-8
封装/外壳: 16-PowerSOP 模块
IMZA40R011M2HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 400 V 112A（Tc） 341W（Tc） PG-TO247-4-8
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 112A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 37.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 85 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2900 pF @ 200 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 341W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-8
封装/外壳: TO-247-4
AIMW120R060M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 36A（Tc） 150W（Tc） PG-TO247-3-41
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 13A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 5.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 31 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1060 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
G3R12MT12K
制造商: NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 157A（Tc） 567W（Tc） TO-247-4
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 157A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 100A， 18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 50mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 288 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9335 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 567W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4
封装/外壳: TO-247-4
IXTK5N250
制造商: IXYS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 2500 V 5A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 2500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.8 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8560 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 960W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264（IXTK）
封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA
IXTX5N250
制造商: IXYS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 2500 V 5A（Tc） 960W（Tc） PLUS247™-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 2500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.8 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8560 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 960W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PLUS247™-3
封装/外壳: TO-247-3 变式
BSM080D12P2C008
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 80A（Tc） 600W 底座安装 模块
技术: 碳化硅（SiC）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 13.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 800pF @ 10V
功率 - 最大值: 600W
工作温度: 175°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
PSMN013-30YLC,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 32A（Tc） 26W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 521 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 26W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
PSMN6R5-25YLC,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 25 V 64A（Tc） 48W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1093 pF @ 12 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
RS1E130GNTB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3W（Ta），22.2W（Tc） 8-HSOP
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.7 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 420 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），22.2W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-HSOP
封装/外壳: 8-PowerTDFN