RQ3E070BNTB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 7A（Ta），15A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A（Ta），15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 27 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 410 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
HT8KB5TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 5A（Ta），12A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Ta），12A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 47 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 150pF @ 20V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）
HT8KC5TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 60V 3.5A（Ta），10A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A（Ta），10A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 135pF @ 30V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）
BUK7Y13-40B,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 58A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1311 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 85W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
HT8KE5TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 100V 2.5A（Ta），7A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta），7A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 193 毫欧 @ 2.5A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 90pF @ 50V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）
R6004KNXC7G
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 4A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 980 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 280 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 40W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FM
封装/外壳: TO-220-3 整包
R6006KNXC7G
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 6A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 830 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 350 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 40W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FM
封装/外壳: TO-220-3 整包
HP8KC7TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 60V 13.5A（Ta），24A（Tc） 3W（Ta），26W（Tc） 表面贴装型 8-HSOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.5A（Ta），24A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.5 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400pF @ 30V
功率 - 最大值: 3W（Ta），26W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-HSOP
NTD250N65S3H
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 13A（Tc） 106W（Tc） TO-252（DPAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 250 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1261 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 106W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252（DPAK）
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SPB21N50C3ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 560 V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 208W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB