NTHL099N60S5
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 33A（Tc） 184W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 99 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 2.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2500 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 184W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
IMZA65R072M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 28A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-4-3
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 94 毫欧 @ 13.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 744 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-3
封装/外壳: TO-247-4
E4M0060075J2-TR
制造商: WOLFSPEED, INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 750 V 36A（Tc） 131W（Tc） TO-263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 13.4A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 3.67mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1205 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 131W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
E4M0060075K1
制造商: WOLFSPEED, INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 750 V 35A（Tc） 126W（Tc） TO-247-4L
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 78 毫欧 @ 13.4A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 3.67mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 52 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1203 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 126W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L
封装/外壳: TO-247-4
AIMBG120R060M1XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 38A（Tc） 202W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 13A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 4.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 32 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 880 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 202W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
AIMZH120R060M1TXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 38A（Tc） 197W（Tc） PG-TO247-4-11
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 13A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 4.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 32 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 880 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 197W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-11
封装/外壳: TO-247-4
IMBG40R011M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 400 V 13.4A（Ta），133A（Tc） 3.8W（Ta），429W（Tc） PG-TO263-7-11
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13.4A（Ta），133A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14.4 毫欧 @ 37.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 85 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3770 pF @ 200 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），429W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-11
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IXTR170P10P
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 P 通道 100 V 108A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247™
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 85A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12600 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 312W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS247™
封装/外壳: TO-247-3
PSMN6R0-30YLB,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 71A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1088 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 58W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
BUK7Y113-100EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 12A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 113 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 601 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 45W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669