IPB19DP10NMATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 100 V 2.9A（Ta）， 13.8A（Tc） 3.8W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A（Ta）， 13.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 185 毫欧 @ 12A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
RJK0851DPB-00#J5
制造商: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 20A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2050 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 45W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK
封装/外壳: SC-100，SOT-669
R6004KNX
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 600 V 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 980 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 280 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 40W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FM
封装/外壳: TO-220-3 整包
NTD280N60S5Z
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 13A（Tc） 89W（Tc） TO-252（DPAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 280 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 978 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 89W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252（DPAK）
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RSJ451N04FRATL
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 45A（Tc） 50W（Tc） LPTS
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 50W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LPTS
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TPW5200FNH,L1Q
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 250 V 26A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 52 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2200 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 800mW（Ta），142W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DSOP Advance
封装/外壳: 8-PowerVDFN
FDPC8011S
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 25V 13A（Ta），20A（Tc），27A（Ta），60A（Tc） 800mW（Ta），900mW（Ta） 表面贴装型 Powerclip-33
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta），20A（Tc），27A（Ta），60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 13A，10V，1.8 毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19nC @ 10V，64nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1240pF @ 13V，4335pF @ 13V
功率 - 最大值: 800mW（Ta），900mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: Powerclip-33
TK28N65W,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 27.6A（Ta） 230W（Tc） TO-247
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 110 毫欧 @ 13.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3000 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 230W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
TK28N65W5,S1F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 27.6A（Ta） 230W（Tc） TO-247
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 130 毫欧 @ 13.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3000 pF @ 300 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 230W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
C3M0160120K1
制造商: WOLFSPEED, INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 17.9A（Tc） 103W（Tc） TO-247-4L
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 208 毫欧 @ 8.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 2.33mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 32 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +19V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 730 pF @ 1000 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 103W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-4L
封装/外壳: TO-247-4