IRF540STRR
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2PAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 77 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（D2PAK）
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PJA3401A_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 3.6A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 54 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 994 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.25W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AO3401A
制造商: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 4A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 44 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1200 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.4W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: 3-SMD，SOT-23-3 变式
DMG3401LSN-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 3A（Ta） 800mW（Ta） SC-59-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1326 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 800mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-59-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DMP2021UFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 11.1A（Ta） 1.9W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2760 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.9W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP3028LFDE-7-W
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1241 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 660mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP2016UFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 9.5A（Ta） 900mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1710 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 900mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP4047LFDE-7-W
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 40 V 3.3A（Ta） 700mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 33 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1382 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 700mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP3028LFDE-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1241 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 660mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN
DMP3028LFDE-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1241 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 660mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳: 6-PowerUDFN