BSP299E6327
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 500 V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4-21
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-4-21
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
BSC0923NDIATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 17A，32A 1W 表面贴装型 PG-TISON-8
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A，32A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1160pF @ 15V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TISON-8
FS05MR12A6MA1BBPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 200A 底座安装 AG-HYBRIDD-2
技术: 碳化硅（SiC）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
功率 - 最大值: -
工作温度: -
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-HYBRIDD-2
IXFH230N075T2
制造商: IXYS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 75 V 230A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 230A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 178 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 480W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD（IXFH）
封装/外壳: TO-247-3
IXFH12N80P
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 12A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 850 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD（IXFH）
封装/外壳: TO-247-3
IRF540STRRPBF
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2PAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 77 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（D2PAK）
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF540STRLPBF
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2PAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 77 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（D2PAK）
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF540SPBF
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2PAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 77 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（D2PAK）
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF540S
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2PAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 77 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（D2PAK）
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRF540STRL
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2PAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 77 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.7W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（D2PAK）
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB