SPD06N80C3ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 800 V 6A（Ta） 83W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 900 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 785 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD60R380C6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 700 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD65R380E6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 710 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SPD02N80C3ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 800 V 2A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.7 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.9V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 290 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 42W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD50R399CPATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 500 V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-313
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 399 毫欧 @ 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 330µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 890 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-313
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD60R2K0C6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2 欧姆 @ 760mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 140 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 22.3W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD60R950C6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 950 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 280 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 37W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD60R600C6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 600 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 440 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 63W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSP320SE6433
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 120 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 340 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-4
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
BSP300E6327
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 800 V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4-21
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 230 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-4-21
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA