NTMFS4C022NT3G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Ta），136A（Tc） 3.1W（Ta），64W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta），136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3071 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），64W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
DMTH6009LPSW-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 60 V 11.76A（Ta），89.5A（Tc） 2.8W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8（UX 类）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11.76A（Ta），89.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1925 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装: PowerDI5060-8（UX 类）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
IRFBE30PBF
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 78 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
IRFBE30PBF-BE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.1A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 78 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
IPD60N10S412ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 60A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-313
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.2 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2470 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 94W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-313
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPB120N10S403ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10120 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPG20N10S436AATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 100V 20A 43W 表面贴装，可润湿侧翼 PG-TDSON-8-10
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 16µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 990pF @ 25V
功率 - 最大值: 43W
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-10
IPB120N10S405ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6540 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPG16N10S4L61AATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 100V 16A 29W 表面贴装，可润湿侧翼 PG-TDSON-8-10
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 61 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 845pF @ 25V
功率 - 最大值: 29W
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-10
IPD60R3K3C6ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 600 V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 93 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 18.1W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63