IMDQ75R040M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 750 V 45A（Tc） 182W（Tc） PG-HDSOP-22-1
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 21.7A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1063 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 182W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22-1
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
AIMDQ75R040M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 840 V 45A（Tc） 182W（Tc） PG-HDSOP-22-1
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 840 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 21.7A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1063 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 182W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22-1
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
AIMZA75R040M2HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 750 V 40A（Tc） 142W（Tc） PG-TO247-4-U02
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 21.7A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1063 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 142W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-U02
封装/外壳: TO-247-4
NTMFS6H818NT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 20A（Ta），123A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），123A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3100 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
NVMFS6H818NT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 20A（Ta），123A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），123A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3100 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
NTMFS3D6N10MCLT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 19.5A（Ta），131A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19.5A（Ta），131A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 毫欧 @ 48A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4411 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
TQM025NH04CRRLG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 40 V 26A（Ta），100A（Tc） 136W（Tc） 8-PDFNU（4.9x5.75）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 89 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5691 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装: 8-PDFNU（4.9x5.75）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
IAUC100N08S5N034ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 132A（Tj） 136W（Tc） PG-TDSON-8-34
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 132A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.8V @ 78µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4559 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-34
封装/外壳: 8-PowerTDFN
SUD19N20-90-BE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 200 V 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252AA
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1800 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMTH6009SPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 12.9A（Ta），89.5A（Tc） 2.8W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.9A（Ta），89.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 10 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1572 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN