AIMBG75R040M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 750 V 42A（Tc） 156W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 21.7A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1063 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 156W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMZA75R040M2HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 840 V 40A（Tc） 142W（Tc） PG-TO247-4-U02
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 840 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 36 毫欧 @ 21.7A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 4.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1063 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 142W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-U02
封装/外壳: TO-247-4
IPQC65R017CFD7XTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 136A（Tc） 694W（Tc） PG-HDSOP-22
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 61.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 236 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12338 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 694W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
SPD50N03S2L-06
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2530 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-11
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD90N04S304ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5200 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-11
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD50N03S2L06ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-11
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SPD50N03S2L06T
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2530 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-11
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TSM025NH04LCRRLG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 40 V 26A（Ta），100A（Tc） 136W（Tc） 8-PDFNU（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 63.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4179 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装: 8-PDFNU（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
TSM025NH04CRRLG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 40 V 26A（Ta），100A（Tc） 136W（Tc） 8-PDFNU（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3794 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装: 8-PDFNU（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
DMTH10H4M6SPS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 20A（Ta），100A（Tc） 2.7W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4327 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.7W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN