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IRHMS6S7264SCS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 28.5A I[D ](@25°C) max: 45.0A V[F] max: 1.2V Package: TO-254AA Low Ohmic Polarity: N Die Size: 6 V[BRDSS] min: 250.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 3A SEE: Yes R[DS (on)](@25°C) max: 41.0mΩ Generation: R6 Qualification: QIRL Q[G]: 220.0C Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300

IRHMS6S7260

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 35.0A I[D ](@25°C) max: 45.0A V[F] max: 1.2V Package: TO-254AA Low Ohmic Polarity: N Qualification: COTS Die Size: 6 V[BRDSS] min: 200.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 3A SEE: 100.0MeV∙cm2/mg R[DS (on)](@25°C) max: 29.0mΩ Generation: R6 Q[G]: 240.0C Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300

IRHYS6S7230CM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 10.0A I[D ](@25°C) max: 16.0A V[F] max: 1.2V Package: TO-257AA Low Ohmic Polarity: N Qualification: COTS Die Size: 3 V[BRDSS] min: 200.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 2 SEE: Yes R[DS (on)](@25°C) max: 130.0mΩ Generation: R6 Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 Q[G]: 42.0nC

IRHNA6S7264SCS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 31.5A I[D ](@25°C) max: 50.0A V[F] max: 1.2V Package: SMD-2 Polarity: N Qualification: COTS Die Size: 6 V[BRDSS] min: 250.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 3A SEE: Yes R[DS (on)](@25°C) max: 40.0mΩ Generation: R6 Q[G]: 220.0nC Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300

IRHNA6S7264

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

IRHNA6S7160SCS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 56.0A I[D ](@25°C) max: 56.0A V[F] max: 1.2V Package: SMD-2 Polarity: N Qualification: COTS Die Size: 6 V[BRDSS] min: 100.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 3A SEE: Yes R[DS (on)](@25°C) max: 10.0mΩ Generation: R6 Q[G]: 170.0nC Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300

IRHNA6S7260SCS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 40.0A I[D ](@25°C) max: 56.0A V[F] max: 1.2V Package: SMD-2 Polarity: N Qualification: COTS Die Size: 6 V[BRDSS] min: 200.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 3A SEE: Yes R[DS (on)](@25°C) max: 28.0mΩ Generation: R6 Q[G]: 240.0nC Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300

IRHMB6S7160

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 45.0A I[D ](@25°C) max: 45.0A V[F] max: 1.2V Package: TO-254AA Tabless Low Ohmic Polarity: N Die Size: 6 V[BRDSS] min: 100.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 3A SEE: Yes R[DS (on)](@25°C) max: 11.0mΩ Generation: R6 Qualification: COTS Q[G]: 170.0nC Optional TID Rating(kRad(si)): 100

IRHYS6S7130CM

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 19.0A I[D ](@25°C) max: 20.0A V[F] max: 1.2V Package: TO-257AA Low Ohmic Polarity: N Qualification: COTS Die Size: 3 V[BRDSS] min: 100.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 2 SEE: Yes R[DS (on)](@25°C) max: 42.0mΩ Generation: R6 Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 Q[G]: 50.0nC

IRHNJ6S7234SCS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: 7.8A I[D ](@25°C) max: 12.4A V[F] max: 1.2V Package: SMD-0.5 Polarity: N Die Size: 3 V[BRDSS] min: 250.0V TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 2 SEE: Yes R[DS (on)](@25°C) max: 210.0mΩ Generation: R6 Qualification: QIRL Q[G]: 50.0nC Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300