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IGB110S101


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 8 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 3.4nC RDS (on)(typ): 8.0mΩ

GS-065-150-1-D2


分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: 650 V CoolGaN™ e-mode power transistor for ultimate efficiency and reliability

VDS: NoneV QG: 33.0nC Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA RDS (on)(typ): 10.0mΩ Generation: ≤ G3

IGC033S10S1


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x5, 2.4 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 11.0nC RDS (on)(typ): 2.4mΩ

IGC037S12S1


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.8 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 9.0nC RDS (on)(typ): 2.8mΩ

IGB110S10S1


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 8 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 3.4nC RDS (on)(typ): 8.0mΩ

IGC019S06S1


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.4 mΩ

VDS: NoneV Mounting: SMT ID (@25°C): NoneA Generation: G3 QG: 13.0nC RDS (on)(typ): 1.4mΩ

GS-065-060-5-T-A-TR


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V ≤ G3 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 14.0nC RDS (on)(typ): 25.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G3

GS-065-030-6-LR-TR


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 6.7nC RDS (on): NonemΩ RDS (on)(typ): 37.0mΩ VDS: NoneV Generation: G4

GS61004B-TR


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 100 V ≤ G2 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 3.3nC RDS (on)(typ): 16.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G2

GS-065-030-2-L-TR


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 其他场效应晶体管

描述: CoolGaN™ Transistor 650 V ≤ G3 for ultimate efficiency and reliability

ID (@25°C): NoneA IDpuls(@25°C): NoneA Mounting: SMT QG: 6.7nC RDS (on)(typ): 50.0mΩ RDS (on): NonemΩ VDS: NoneV Generation: ≤ G3