NXH80T120L2Q0P2TG
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: 功率集成模块(PIM)T型NPC 1200V 80A IGBT,600V 50A IGBT
状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Configuration: T-Type NPC Inverter
VBR Max (V): 1200
Rated Current (A): 80
VCE(sat) Typ (V): 2.1
VF Typ (V): 2.8
Application: Industrial
Package Type: Q0
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: No
参考价格: Price N/A
FS20R06W1E3B11BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 600 V 35 A 135 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 35 A
功率 - 最大值: 135 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.1 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS20R06W1E3BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 600 V 35 A 135 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 35 A
功率 - 最大值: 135 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,20A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.1 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
IKW75N60TFKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 600 V 80 A 428 W 通孔 PG-TO247-3-1
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,75A
功率 - 最大值: 428 W
开关能量: 4.5mJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 470 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 33ns/330ns
测试条件: 400V,75A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 121 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
FGA25N120ANTDTU-F109
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT,1200V,25A,NPT 沟槽
状态: Lifetime 相似产品推荐
Compliance: Pb A H P
Family: -
V(BR)CES Typ (V): 1200
IC Max (A): -
VCE(sat) Typ (V): -
VF Typ (V): 2
Eoff Typ (mJ): 0.96
Eon Typ (mJ): 4.1
Trr Typ (ns): -
Irr Typ (A): 27
Gate Charge Typ (nC): 200
Short Circuit Withstand (µs): -
EAS Typ (mJ): -
PD Max (W): 312
Co-Packaged Diode: -
Package Type: TO-3P-3L
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: N
Reference Price: $1.931
状态: Active, Not Rec
Compliance: Pb A H P
Family: -
V(BR)CES Typ (V): 650
IC Max (A): 40
VCE(sat) Typ (V): 1.9
VF Typ (V): 2.1
Eoff Typ (mJ): 0.26
Eon Typ (mJ): 0.34
Trr Typ (ns): 200
Irr Typ (A): 3.6
Gate Charge Typ (nC): 119
Short Circuit Withstand (µs): -
EAS Typ (mJ): -
PD Max (W): 349
Co-Packaged Diode: Yes
Package Type: TO-3P-3L
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: Yes
参考价格: $1.889
状态: Active
Compliance: Pb A H P
Family: -
V(BR)CES Typ (V): 650
IC Max (A): 40
VCE(sat) Typ (V): 1.6
VF Typ (V): 2.2
Eoff Typ (mJ): 0.297
Eon Typ (mJ): 1.01
Trr Typ (ns): 192
Irr Typ (A): -
Gate Charge Typ (nC): 72.2
Short Circuit Withstand (µs): -
EAS Typ (mJ): -
PD Max (W): 268
Co-Packaged Diode: Yes
Package Type: TO-3P-3L
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: Y
Reference Price: $1.5394
NVG450A120L5DSC
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: VE-Trac Dual – 汽车1200V 450A双侧散热半桥功率模块
状态: Active, Not Rec 相似产品推荐
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Configuration: Half-Bridge
VBR Max (V): 1200
Rated Current (A): 450
VCE(sat) Typ (V): 1.59
VF Typ (V): 1.8
Application: Automotive Traction Inverter
Package Type: AHPM15-CEA
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: F
Reference Price: $315.2855
NXH160T120L2Q1SG
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
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Configuration: Split T-Type Inverter
VBR Max (V): 1200
Rated Current (A): 160
VCE(sat) Typ (V): 2.1
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Application: Industrial
Package Type: Q1
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: N
Reference Price: $77.683
NXH450N65L4Q2F2PG
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: 功率集成模块(PIM)I型NPC 650V 450A IGBT,650V 375A二极管
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VF Typ (V): 1.8
Application: Industrial
Package Type: PIM36 93x47 (PRESSFIT)
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: N
Reference Price: $112.8892