NXH450N65L4Q2F2SG
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: 功率集成模块（PIM）I型NPC 650V 450A IGBT，650V 375A二极管
状态: Lifetime 相似产品推荐
Compliance: Pb A H P
Configuration: I-Type
VBR Max (V): 650
Rated Current (A): 450
VCE(sat) Typ (V): 1.49
VF Typ (V): 1.8
Application: Industrial
Package Type: Q2
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: N
Reference Price: $110.3275
状态: 量产中
Compliance: Pb A H P
Configuration: Half-Bridge
VBR Max (V): 1200
Rated Current (A): 800
VCE(sat) Typ (V): 1.7
VF Typ (V): 1.7
Application: CAV
Package Type: PIM11, 152.00x62.15x17.00
MSL Type: NA
MSL Temp (°C): 0
ON Target: No
参考价格: $211.7418
FZ400R12KE3B1HOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 单路 1200 V 650 A 2250 W 底座安装 模块
IGBT 类型: -
配置: 单路
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 650 A
功率 - 最大值: 2250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，400A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FZ400R12KE3HOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 单路 1200 V 650 A 2250 W 底座安装 模块
IGBT 类型: -
配置: 单路
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 650 A
功率 - 最大值: 2250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，400A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
NXH50C120L2C2ES1G
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 三相反相器，带制动器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
IGBT 类型: -
配置: 三相反相器，带制动器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 50 A
功率 - 最大值: 20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.4V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）: 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 11.89 nF @ 20 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
供应商器件封装: 26-DIP
FS150R17KE3GBOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1700 V 240 A 1050 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 240 A
功率 - 最大值: 1050 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.45V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.5 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS25R12W1T4B11BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 45 A 205 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 45 A
功率 - 最大值: 205 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.25V @ 15V，25A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.45 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS35R12W1T4B11BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 65 A 225 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 65 A
功率 - 最大值: 225 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.25V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FGH75T65SQD-F155
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 650 V 150 A 375 W 通孔 TO-247-3
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A
功率 - 最大值: 375 W
开关能量: 760µJ（导通），180µJ（关断）
输入类型: 标准
栅极电荷: 128 nC
反向恢复时间 (trr): 43 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
IKZA40N65EH7XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 210 W 通孔 PG-TO247-4-3
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 1.65V @ 15V，40A
功率 - 最大值: 210 W
开关能量: 370µJ（导通），360µJ（关断）
输入类型: 标准
栅极电荷: 81 nC
25°C 时 Td（开/关）值: 13ns/134ns
测试条件: 400V，40A，12.5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr): 49.6 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-4
供应商器件封装: PG-TO247-4-3