STMICROELECTRONICS
TSB7192AIYST
制造商: STMICROELECTRONICS分类:
简介: 精密放大器 Precision, 22 MHz, RR IO, 36 V BiCMOS operational amplifier
BTA12-600SWRG
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 闸流晶体管
简介: TRIAC 逻辑 - 灵敏栅极 600 V 12 A 通孔 TO-220
双向可控硅类型: 逻辑 - 灵敏栅极
电压 - 断态: 600 V
电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 12 A
电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.3 V
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 120A，126A
电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 10 mA
电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 15 mA
配置: 单路
工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
STL115N10F7AG
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 100 V 107A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat™（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 53A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5600 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装: PowerFlat™（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STL110N10F7
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 107A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat™（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5117 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STEVAL-MKI109D
制造商: STMICROELECTRONICS分类:
简介: 多功能传感器开发工具 Professional MEMS tool: evaluation board for all ST MEMS sensors
