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INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

BSZ120P03NS3G

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -160.0A
R[th]:  2.4K/W
P[tot] max:  52.0W
V[DS] max:  -30.0V
C[iss]:  2240.0pF
C[oss]:  1090.0pF
库存数量:
询 价

IRFHM9331

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: -30V Single P-Channel Power MOSFET in a PQFN 3mm x 3mm package

Moisture Sensitivity Level:  1
Mounting:  SMD
Polarity:  P
Ptot(@ TA=25°C):  NoneW
Qgd:  8.0nC
RthJC:  NoneK/W
库存数量:
询 价

BSZ180P03NS3EG

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -158.0A
R[th]:  3.1K/W
P[tot] max:  40.0W
V[DS] max:  -30.0V
C[iss]:  1480.0pF
C[oss]:  744.0pF
库存数量:
询 价

BSZ086P03NS3EG

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -160.0A
R[th]:  1.8K/W
P[tot] max:  69.0W
V[DS] max:  -30.0V
C[iss]:  3190.0pF
C[oss]:  1520.0pF
库存数量:
询 价

BSZ086P03NS3G

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -160.0A
R[th]:  1.8K/W
P[tot] max:  69.0W
V[DS] max:  -30.0V
C[iss]:  3190.0pF
C[oss]:  1520.0pF
库存数量:
询 价

BSZ180P03NS3G

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -158.0A
R[th]:  3.1K/W
P[tot] max:  40.0W
V[DS] max:  -30.0V
C[iss]:  1480.0pF
C[oss]:  744.0pF
库存数量:
询 价

IRF9317

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Package:  SO-8
Q[gd]:  14.0nC
Moisture Sensitivity Level:  1
Mounting:  SMD
Polarity:  P
P[tot](@ T[A]=25°C) max:  2.5W
库存数量:
询 价

IRF9321

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Mounting:  SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max:  2.5W
R[thJA] max:  50.0K/W
V[DS] max:  -30.0V
Moisture Sensitivity Level:  1
Package:  SO-8
库存数量:
询 价

IRF7416

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: IR MOSFET -30 V in a SO-8 package

Mounting:  SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max:  2.5W
R[thJA] max:  50.0K/W
V[DS] max:  -30.0V
Moisture Sensitivity Level:  1
Package:  SO-8
库存数量:
询 价

BSO301SPH

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -60.0A
R[th]:  110.0K/W
P[tot] max:  1.79W
V[DS] max:  -30.0V
Package:  SO-8
C[iss]:  4430.0pF
库存数量:
询 价