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INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IRF7424

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: IR MOSFET -30 V in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level:  1
Mounting:  SMD
Package:  SO-8
Ptot(@ TA=25°C):  NoneW
RthJA:  NoneK/W
Tj:  None°C
库存数量:
询 价

IRF7205

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: IR MOSFET -30 V in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level:  1
Package:  SO-8
Polarity:  P
Q[gd]:  7.5nC
R[thJA] max:  50.0K/W
T[j] max:  150.0°C
库存数量:
询 价

SI4435DY

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Tj:  None°C
VGS:  NoneV
Moisture Sensitivity Level:  1
Package:  SO-8
Polarity:  P
Qgd:  8.0nC
库存数量:
询 价

IRF9310

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level:  1
Package:  SO-8
Polarity:  P
Q[gd]:  28.0nC
T[j] max:  150.0°C
V[GS] max:  20.0V
库存数量:
询 价

IRF9388

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: -30V P-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a SO-8 package

Mounting:  SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max:  2.5W
Moisture Sensitivity Level:  1
Package:  SO-8
Polarity:  P
Q[gd]:  8.5nC
库存数量:
询 价

BSC084P03NS3G

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -200.0A
R[th]:  1.8K/W
P[tot] max:  69.0W
V[DS] max:  -30.0V
C[iss]:  3190.0pF
C[oss]:  1520.0pF
库存数量:
询 价

IRFH9310

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: -30V Single P-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 5x6 package

VGS:  NoneV
Moisture Sensitivity Level:  2
Mounting:  SMD
Polarity:  P
Ptot(@ TA=25°C):  NoneW
Qgd:  28.0nC
库存数量:
询 价

BSC030P03NS3G

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -200.0A
R[th]:  1.0K/W
P[tot] max:  125.0W
V[DS] max:  -30.0V
C[iss]:  10500.0pF
C[oss]:  4690.0pF
库存数量:
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BSC060P03NS3EG

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.

I[Dpuls] max:  -200.0A
R[th]:  1.5K/W
P[tot] max:  83.0W
V[DS] max:  -30.0V
C[iss]:  4530.0pF
C[oss]:  2110.0pF
库存数量:
询 价

IRLHS2242

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: -20V P-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 2x2 package

V[DS] max:  -20.0V
Moisture Sensitivity Level:  1
Mounting:  SMD
Polarity:  P
P[tot](@ T[A]=25°C) max:  2.1W
Q[gd]:  3.7nC
库存数量:
询 价