INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IMLT65R040M2H

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TOLT package

Qualification: Industrial

R[thJC] max: 0.56K/W

Technology: CoolSiC™ G2

V[DS] max: 650.0V

Package: TOLT

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 40.0mΩ

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IMLT65R015M2H

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TOLT package

Qualification: Industrial

R[thJC] max: 0.25K/W

Technology: CoolSiC™ G2

V[DS] max: 650.0V

Package: TOLT

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 14.5mΩ

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IMLT65R060M2H

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简介: CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TOLT package

Qualification: Industrial

R[thJC] max: 0.75K/W

Technology: CoolSiC™ G2

V[DS] max: 650.0V

Package: TOLT

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 60.0mΩ

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IMBF170R1K0M1

分类:
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简介: CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

C[iss]: 275.0pF

C[oss]: 7.2pF

I[D ](@25°C) max: 5.2A

Mounting: SMD

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 68.0W

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IMTA65R050M2H

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简介: CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in Thin-TOLL 8x8 package

Qualification: Industrial

R[thJC] max: 0.76K/W

Technology: CoolSiC™ G2

V[DS] max: 650.0V

Package: Thin-TOLL

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 50.0mΩ

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BSC112N06LD

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简介: OptiMOS™ 60V power MOSFET

I[D ](@25°C) max: 57.0A

I[D ](@ T[C]=25°C) max: 57.0A

I[Dpuls] max: 228.0A

Mounting: SMT

P[tot] max: 65.0W

Polarity: N+N

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IMTA65R060M2H

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in Thin-TOLL 8x8 package

Qualification: Industrial

R[thJC] max: 0.91K/W

Technology: CoolSiC™ G2

V[DS] max: 650.0V

Package: Thin-TOLL

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 60.0mΩ

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IMBG120R350M1H

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简介: CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

C[iss]: 196.0pF

C[oss]: 9.0nF

I[D ](@25°C) max: 4.7A

Mounting: SMD

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 65.0W

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IMBF170R650M1

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

C[iss]: 422.0pF

C[oss]: 12.0pF

I[D ](@25°C) max: 7.4A

Mounting: SMD

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 88.0W

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IMT65R260M1H

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简介: CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package

Operating Temperature max: 175.0°C

Polarity: N

Qualification: Industrial

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 260.0mΩ

V[DS] max: 650.0V

Technology: CoolSiC™ G1

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