INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKQ120N120CH7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package

E[off](Hard Switching): 5.61mJ

E[on]: 11.2mJ

I[C](@ 25°) max: 170.0A

I[C](@ 100°) max: 145.0A

I[Cpuls] max: 480.0A

I[F] max: 156.0A

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IGW50N65H5

分类:
数据:

简介: 650 V IGBT in TO-247 package

E[on]: 0.52mJ

I[C](@ 100°) max: 56.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

Q[Gate]: 120.0nC

V[CE(sat)]: 1.65V

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IKB40N65ES5

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简介: 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package

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IGW40N65F5

分类:
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E[on]: 0.36mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

Q[Gate]: 95.0nC

V[CE(sat)]: 1.6V

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IKW75N65RH5

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简介: 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode

E[off](Hard Switching): 0.3mJ

E[on]: 0.36mJ

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 30.7A

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IGZ50N65H5

分类:
数据:

E[on]: 0.41mJ

I[C](@ 100°) max: 54.0A

I[C](@ 25°) max: 85.0A

I[Cpuls] max: 200.0A

V[GE(th)]: 4.0V

Q[Gate]: 109.0nC

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IGW50N65F5

分类:
数据:

E[on]: 0.49mJ

I[C](@ 100°) max: 56.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

Q[Gate]: 120.0nC

V[CE(sat)]: 1.6V

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IKFW75N65ES5

分类:
数据:

简介: 650 V, 75 A IGBT in TO-247 advanced isolation package

E[off](Hard Switching): 0.66mJ

E[on]: 1.48mJ

I[C](@ 25°) max: 109.0A

I[Cpuls] max: 240.0A

I[F] max: 74.0A

I[Fpuls] max: 240.0A

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IGQ100N120S7

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数据:

简介: 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package

E[off]: 8.84mJ

E[on]: 10.1mJ

I[C](@ 100°) max: 126.0A

I[C](@ 25°) max: 188.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

P[tot] max: 826.0W

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IKW40N65H5

分类:
数据:

简介: 650 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 12.5A

E[on]: 0.39mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 36.0A

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