INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IGW40N65H5

分类:
数据:

E[on]: 0.39mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

Q[Gate]: 95.0nC

V[CE(sat)]: 1.65V

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IKB30N65ES5

分类:
数据:

简介: 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package

E[off](Hard Switching): 0.32mJ

E[on]: 0.56mJ

I[C](@ 100°) max: 39.5A

I[C](@ 25°) max: 62.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 39.5A

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IKW08N120CS7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 0.86mJ

E[on]: 0.59mJ

I[C](@ 25°) max: 21.0A

I[C](@ 100°) max: 14.0A

I[Cpuls] max: 24.0A

I[F] max: 18.0A

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IKWH20N65WR6

分类:
数据:

简介: 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3-HCC package

E[off](Hard Switching): 0.2mJ

E[on]: 0.5mJ

I[C](@ 25°) max: 40.0A

I[C](@ 100°) max: 20.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

I[F] max: 17.0A

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IGZ100N65H5

分类:
数据:

E[on]: 0.85mJ

I[C](@ 100°) max: 101.0A

I[C](@ 25°) max: 161.0A

I[Cpuls] max: 400.0A

V[GE(th)]: 4.0V

Q[Gate]: 210.0nC

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AIKW50N60CT

分类:
数据:

I[rrm]: 27.7A

E[off](Soft Switching): 1.4mJ

E[on]: 1.2mJ

I[C](@ 100°) max: 50.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

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IHW20N135R5

分类:
数据:

简介: 1350 V, 20 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO-247 package

I[C](@ 100°) max: 20.0A

I[C](@ 25°) max: 40.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

I[F] max: 40.0A

I[Fpuls] max: 60.0A

V[F]: 1.65V

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IKP08N65F5

分类:
数据:

I[rrm]: 6.6A

E[on]: 0.07mJ

I[C](@ 100°) max: 11.0A

I[C](@ 25°) max: 18.0A

I[Cpuls] max: 24.0A

I[F] max: 20.0A

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IGD06N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 6 A IGBT Discrete in TO252 package

E[on]: 0.09mJ

I[C](@ 100°) max: 6.0A

I[C](@ 25°) max: 12.0A

I[Cpuls] max: 18.0A

Q[Gate]: 42.0nC

V[CE(sat)]: 1.5V

库存数量:

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IKWH30N65WR6

分类:
数据:

简介: 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3-HCC package

E[off](Hard Switching): 0.38mJ

E[on]: 0.82mJ

I[C](@ 25°) max: 60.0A

I[C](@ 100°) max: 30.0A

I[Cpuls] max: 90.0A

I[F] max: 20.0A

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