INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKFW50N60DH3E

分类:
数据:

简介: 600 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 0.56mJ

E[on]: 1.28mJ

I[C] max: 40.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[C](@ 25°) max: 40.0A

I[F] max: 40.0A

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IKY120N65EH7

分类:
数据:

简介: 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package

E[off]: 2.7mJ

E[on]: 2.8mJ

I[Cpuls] max: 480.0A

I[F] max: 160.0A

I[Fpuls] max: 480.0A

I[rrm]: 132.0A

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IKW60N60H3

分类:
数据:

I[rrm]: 23.0A

E[on]: 2.1mJ

I[C](@ 100°) max: 60.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 180.0A

I[F] max: 80.0A

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IKP39N65ES5

分类:
数据:

简介: 650 V, 39 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package

E[off](Hard Switching): 0.4mJ

E[on]: 0.8mJ

I[C](@ 100°) max: 39.0A

I[C](@ 25°) max: 62.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 40.0A

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IGP30N60H3

分类:
数据:

简介: 600 V, 30 A IGBT3 in TO220 package

E[on]: 0.73mJ

I[C](@ 100°) max: 30.0A

I[C](@ 25°) max: 60.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

Q[Gate]: 165.0nC

V[CE(sat)]: 1.95V

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IKB20N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 20 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO263 package

I[rrm]: 10.4A

E[on]: 0.31mJ

I[C](@ 100°) max: 15.0A

I[C](@ 25°) max: 30.0A

I[Cpuls] max: 60.0A

I[F] max: 30.0A

库存数量:

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IKQ40N120CH3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS package

E[off](Hard Switching): 1.3mJ

E[on]: 3.3mJ

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[Cpuls] max: 160.0A

I[F] max: 40.0A

I[Fpuls] max: 160.0A

库存数量:

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IKQ100N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 100 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247PLUS package

I[rrm]: 23.0A

E[on]: 3.1mJ

I[C](@ 100°) max: 100.0A

I[C](@ 25°) max: 160.0A

I[Cpuls] max: 400.0A

I[F] max: 160.0A

库存数量:

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IKB15N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 15 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO263 package

I[rrm]: 10.4A

E[on]: 0.22mJ

I[C](@ 100°) max: 23.0A

I[C](@ 25°) max: 26.0A

I[Cpuls] max: 45.0A

I[F] max: 30.0A

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IGW25N120H3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 25 A IGBT Discrete in TO-247 package

E[on]: 1.8mJ

I[C](@ 100°) max: 25.0A

I[C](@ 25°) max: 50.0A

I[Cpuls] max: 100.0A

Q[Gate]: 115.0nC

V[CE(sat)]: 2.05V

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