INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IGW40N120H3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 40 A IGBT Discrete in TO-247 package

E[on]: 3.2mJ

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 160.0A

Q[Gate]: 185.0nC

V[CE(sat)]: 2.05V

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IGB30N60T

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数据:

简介: 600 V, 30 A IGBT Discrete in TO263 package

E[on]: 0.69mJ

I[C](@ 100°) max: 39.0A

I[C](@ 25°) max: 45.0A

I[Cpuls] max: 90.0A

Q[Gate]: 167.0nC

V[CE(sat)]: 1.5V

库存数量:

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IKFW50N60DH3

分类:
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简介: 600 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Switching Frequency max: 60.0kHz

I[rrm]: 11.7A

P[tot] max: 145.0W

E[off](Hard Switching): 0.62mJ

E[on]: 1.22mJ

I[Cpuls] max: 160.0A

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IKFW75N60ET

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数据:

简介: 600 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

E[on]: 2.7mJ

I[Cpuls] max: 225.0A

P[tot] max: 178.0W

V[CE(sat)]: 1.5V

t[r]: 45.0ns

t[d(on)]: 33.0ns

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IHW50N65R5

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT Discretes with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 37.0A

E[on]: 1.5mJ

I[C](@ 100°) max: 50.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

I[F] max: 37.0A

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IKY75N120CH3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 PLUS package

E[off](Hard Switching): 2.9mJ

E[on]: 3.4mJ

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 75.0A

I[Fpuls] max: 300.0A

库存数量:

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IKW50N60H3

分类:
数据:

简介: 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 16.9A

E[on]: 1.45mJ

I[C](@ 100°) max: 50.0A

I[C](@ 25°) max: 100.0A

I[Cpuls] max: 200.0A

I[F] max: 60.0A

库存数量:

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IKY50N120CH3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS package

E[off](Hard Switching): 1.9mJ

E[on]: 2.3mJ

I[C](@ 100°) max: 50.0A

I[Cpuls] max: 200.0A

I[F] max: 25.0A

I[Fpuls] max: 200.0A

库存数量:

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IKW75N60H3

分类:
数据:

简介: 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 19.0A

E[on]: 3.0mJ

I[C](@ 100°) max: 75.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 225.0A

I[F] max: 80.0A

库存数量:

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IKB20N60H3

分类:
数据:

简介: 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO263 package

I[rrm]: 14.2A

E[on]: 0.45mJ

I[C](@ 100°) max: 20.0A

I[C](@ 25°) max: 40.0A

I[Cpuls] max: 80.0A

I[F] max: 20.0A

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