INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKY40N120CH3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS package

E[off](Hard Switching): 1.3mJ

E[on]: 2.18mJ

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[Cpuls] max: 160.0A

I[F] max: 40.0A

I[Fpuls] max: 160.0A

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IKFW60N60EH3

分类:
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简介: 600 V, 60 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Technology: IGBT HighSpeed 3

E[on]: 1.74mJ

I[Cpuls] max: 200.0A

P[tot] max: 164.0W

V[CE(sat)]: 1.85V

t[r]: 37.0ns

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IKY40N120CS6

分类:
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简介: 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-4 package

E[off](Hard Switching): 1.55mJ

E[on]: 1.45mJ

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[rrm]: 39.0A

Q[Gate]: 285.0nC

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IGB30N60H3

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数据:

简介: 600 V, 30 A IGBT3 in TO263 D2Pak package

E[on]: 0.73mJ

I[C](@ 100°) max: 30.0A

I[C](@ 25°) max: 60.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

Q[Gate]: 165.0nC

V[CE(sat)]: 1.95V

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IHW40N65R5

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT Discretes with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 37.2A

E[on]: 1.1mJ

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 32.0A

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IKQ120N60T

分类:
数据:

简介: 600 V, 120 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247PLUS package

I[rrm]: 26.5A

E[on]: 6.2mJ

I[C](@ 100°) max: 120.0A

I[C](@ 25°) max: 160.0A

I[Cpuls] max: 480.0A

I[F] max: 160.0A

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IHW30N65R5

分类:
数据:

简介: 650 V, 30 A IGBT Discretes with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 28.0A

E[on]: 0.85mJ

I[C](@ 100°) max: 30.0A

I[C](@ 25°) max: 60.0A

I[Cpuls] max: 90.0A

I[F] max: 23.0A

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IGW100N60H3

分类:
数据:

简介: 600 V, 100 A IGBT Discrete in TO-247 package

E[on]: 3.7mJ

I[C](@ 100°) max: 120.0A

I[C](@ 25°) max: 140.0A

I[Cpuls] max: 300.0A

I[F] max: 100.0A

I[Fpuls] max: 300.0A

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IGW40N60H3

分类:
数据:

E[on]: 1.1mJ

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 160.0A

Q[Gate]: 223.0nC

V[CE(sat)]: 1.95V

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IKW40N120H3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

I[rrm]: 12.8A

E[on]: 3.2mJ

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[C](@ 25°) max: 80.0A

I[Cpuls] max: 160.0A

I[F] max: 40.0A

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